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μ PA2521
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C, All terminals are connected.)
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
Gate to Source Cut-off Voltage
Note
Forward Transfer Admittance
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(off)
| y fs |
TEST CONDITIONS
V DS = 30 V, V GS = 0 V
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
V DS = 10 V, I D = 1 mA
V DS = 10 V, I D = 4.0 A
MIN.
1.5
3.2
TYP.
MAX.
10
± 10
2.5
UNIT
μ A
μ A
V
S
Drain to Source On-state Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Note
R DS(on)1
R DS(on)2
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V GS = 10 V, I D = 8.0 A
V GS = 4.5 V, I D = 4.0 A
V DS = 15 V,
V GS = 0 V,
f = 1 MHz
V DD = 15 V, I D = 4.0 A,
V GS = 10 V,
R G = 10 Ω
12
17
780
170
61
9.2
3.8
31
16.5
25
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
Fall Time
t f
4.8
ns
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
Q G
Q GS
Q GD
V DD = 15 V,
V GS = 5 V,
I D = 8 A
7.6
2.6
2.4
nC
nC
nC
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Gate Resistance
Note
V F(S-D)
t rr
Q rr
R G
I F = 8 A, V GS = 0 V
I F = 8 A, V GS = 0 V,
di/dt = 100 A/ μ s
f = 1 MHz
0.82
24
17
1.6
V
ns
nC
Ω
Note Pulsed
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
D.U.T.
R G = 25 Ω
50 Ω
L
V DD
PG.
D.U.T.
R G
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS
0
10%
V GS
90%
V GS = 20 → 0 V
V DS
90%
90%
V DD
I D
I AS
BV DSS
V DS
V GS
0
τ
V DS
Wave Form
V DS
0
t d(on)
10%
t r
10%
t d(off)
t f
Starting T ch
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t on
t off
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
D.U.T.
I G = 2 mA
R L
2
PG.
50 Ω
V DD
Data Sheet G19187EJ1V0DS
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